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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV100XPR
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：354pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV100XPR
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：354pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV100XPR
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：354pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV100XPR
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：354pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV100XPR
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：354pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV100XPR
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：354pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV100XPR
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：354pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV100XPR
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：354pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV100XPR
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：354pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
