品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4403P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€30W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1730pF@15V
连续漏极电流:9.8A€35A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@4V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA469DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:26.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@4V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4403P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€30W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1730pF@15V
连续漏极电流:9.8A€35A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1157pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2305-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2A,1.8V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2741}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3443T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@5V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA469DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:26.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA469DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:26.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1882}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3433T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@5V
连续漏极电流:2.35A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVGS3443T1G
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@5V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":3662,"09+":15000,"10+":55476}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS2103PTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1157pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@4V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@4V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2305B-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@4V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@2.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@4V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":307000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4149PTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@4V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4403P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€30W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1730pF@15V
连续漏极电流:9.8A€35A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS71DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@50V
连续漏极电流:23A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3443T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@5V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2305B-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@4V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@2.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1157pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2305-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2A,1.8V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS71DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@50V
连续漏极电流:23A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS71DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@50V
连续漏极电流:23A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: