采购热线 400-661-9010
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4403P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：9.8A€35A
类型：P沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4403P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：9.8A€35A
类型：P沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：39440，"09+"：57，"10+"：24375}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NH-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2155pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：4433，"07+"：49500，"08+"：1500，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4708NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@24V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4708NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@24V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4403P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：9.8A€35A
类型：P沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP40NF03L
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：1332，"07+"：14052，"08+"：205778，"10+"：43996，"MI+"：6900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4706NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP40NF03L
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1193，"13+"：300，"15+"：843，"18+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4403P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：9.8A€35A
类型：P沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4403P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：9.8A€35A
类型：P沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4707NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：735pF@24V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4708NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@24V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1193，"13+"：300，"15+"：843，"18+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
