采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTD7N60C3S9A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：56A
关断损耗：600µJ
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：23nC
集电极电流(Ic)：2V@15V，7A
导通损耗：165µJ
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：3.3V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：110A
类型：MOSFET
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTD7N60C3S9A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：56A
关断损耗：600µJ
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：23nC
集电极电流(Ic)：2V@15V，7A
导通损耗：165µJ
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM220NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：1V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：22mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R190C7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：23nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：168mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3245G2-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
开启延迟时间：900ns
集电极截止电流(Ices)：450V
栅极电荷：23nC
集电极电流(Ic)：1.25V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S2L-35
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：1.6V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：20A
类型：MOSFET
导通电阻：35mΩ
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：3.3V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：110A
类型：MOSFET
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGD3245G2-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
开启延迟时间：900ns
集电极截止电流(Ices)：450V
栅极电荷：23nC
集电极电流(Ic)：1.25V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGD3245G2-F085
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
开启延迟时间：900ns
集电极截止电流(Ices)：450V
栅极电荷：23nC
集电极电流(Ic)：1.25V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGD3245G2-F085C
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
开启延迟时间：0.9µs
集电极截止电流(Ices)：450V
栅极电荷：23nC
集电极电流(Ic)：1.25V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGD3245G2-F085V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极截止电流(Ices)：450V
栅极电荷：23nC
集电极电流(Ic)：1.25V@4V，6A
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGD3245G2-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
开启延迟时间：900ns
集电极截止电流(Ices)：450V
栅极电荷：23nC
集电极电流(Ic)：1.25V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGD3245G2-F085C
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
开启延迟时间：0.9µs
集电极截止电流(Ices)：450V
栅极电荷：23nC
集电极电流(Ic)：1.25V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGD3245G2-F085
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
开启延迟时间：900ns
集电极截止电流(Ices)：450V
栅极电荷：23nC
集电极电流(Ic)：1.25V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGD3245G2-F085V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极截止电流(Ices)：450V
栅极电荷：23nC
集电极电流(Ic)：1.25V@4V，6A
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGD3245G2-F085C
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
开启延迟时间：0.9µs
集电极截止电流(Ices)：450V
栅极电荷：23nC
集电极电流(Ic)：1.25V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTD7N60C3S9A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：56A
关断损耗：600µJ
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：23nC
集电极电流(Ic)：2V@15V，7A
导通损耗：165µJ
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3245G2-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
开启延迟时间：900ns
集电极截止电流(Ices)：450V
栅极电荷：23nC
集电极电流(Ic)：1.25V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTD7N60C3S9A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：56A
关断损耗：600µJ
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：23nC
集电极电流(Ic)：2V@15V，7A
导通损耗：165µJ
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：3.3V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：110A
类型：MOSFET
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGD3245G2-F085
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
开启延迟时间：900ns
集电极截止电流(Ices)：450V
栅极电荷：23nC
集电极电流(Ic)：1.25V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGD3245G2-F085C
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
开启延迟时间：0.9µs
集电极截止电流(Ices)：450V
栅极电荷：23nC
集电极电流(Ic)：1.25V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGD3245G2-F085C
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
开启延迟时间：0.9µs
集电极截止电流(Ices)：450V
栅极电荷：23nC
集电极电流(Ic)：1.25V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGD10HF60KD
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：30A
关断延迟时间：87ns
反向恢复时间：50ns
关断损耗：105µJ
开启延迟时间：9.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：23nC
集电极电流(Ic)：2.75V@15V，5A
导通损耗：45µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3245G2-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
开启延迟时间：900ns
集电极截止电流(Ices)：450V
栅极电荷：23nC
集电极电流(Ic)：1.25V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2488，"22+"：835，"23+"：1050}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS3D5N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：102A
类型：MOSFET
导通电阻：3.3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTD7N60C3S9A
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：56A
关断损耗：600µJ
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：23nC
集电极电流(Ic)：2V@15V，7A
导通损耗：165µJ
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS3D5N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：102A
类型：MOSFET
导通电阻：3.3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4790}
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R210CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：64W
阈值电压：4.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：12A
类型：MOSFET
导通电阻：210mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
