品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":30,"22+":1790,"23+":518}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":30,"22+":1790,"23+":518}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1
功率:94W
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.5V@46µA
类型:N沟道
输入电容:2470pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:60A
导通电阻:12.2mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK32E12N1,S1X
工作温度:150℃
功率:98W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@60V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:13.8mΩ@16A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK32E12N1,S1X
工作温度:150℃
功率:98W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@60V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:13.8mΩ@16A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK32E12N1,S1X
工作温度:150℃
功率:98W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@60V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:13.8mΩ@16A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK32E12N1,S1X
工作温度:150℃
功率:98W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@60V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:13.8mΩ@16A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":30,"22+":1790,"23+":518}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: