采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP102-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：18.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP102-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：18.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP102-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：18.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP102-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：18.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STDLED656
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：895pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q
栅极电荷：34nC@10V
功率：700mW€42W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：2.3V@500µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP102-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：18.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP102-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：18.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8132，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@200µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@500µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP102-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：18.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@500µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@500µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8132，LQ(S
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2V@200µA
工作温度：150℃
漏源电压：40V
输入电容：1580pF@10V
类型：P沟道
功率：1W
连续漏极电流：7A
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
