采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R3K0CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@30µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：84pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@400mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€23W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT10N10
工作温度：-55℃~+150℃
功率：17W
阈值电压：2V
栅极电荷：4.3nC@10V
输入电容：206pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.4pF@50V
导通电阻：115mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€23W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：696，"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R3K0CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：84pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@400mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RW4E065GNTCL1
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€23W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU50R3K0CEAKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：3.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：84pF@100V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@400mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6024DPD-00#J2
工作温度：150℃
功率：27.2W
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.5pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：42Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：10500，"16+"：15000，"9999"：39}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU50R3K0CEBKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：18W
阈值电压：3.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：84pF@100V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@400mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3600，"23+"：39000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6024DPD-00#J2
工作温度：150℃
功率：27.2W
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.5pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：42Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R3K0CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：3.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：84pF@100V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@400mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R3K0CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：3.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：84pF@100V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@400mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6024DPD-00#J2
工作温度：150℃
功率：27.2W
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.5pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：42Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R3K0CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@30µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：84pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@400mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€23W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€23W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€23W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R3K0CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：84pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@400mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RW4E065GNTCL1
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RW4E065GNTCL1
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€23W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU50R3K0CEAKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：3.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：84pF@100V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@400mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
