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    栅极电荷: 23nC@10V
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 100V
    当前匹配商品:80+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456CDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@50V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI10526 起订2个装
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI10526 起订2个装

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GKI10526

    工作温度:150℃

    功率:3.1W€46W

    阈值电压:2.5V@350µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1530pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:47.7mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:15.4A€55.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:15.4A€55.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS9D0N10MC 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS9D0N10MC 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS9D0N10MC

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.8W€68W

    阈值电压:3V@131μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.695nF@50V

    连续漏极电流:14A€60A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:13pF@50V

    导通电阻:7.8mΩ@10V,23A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1847pF@50V

    连续漏极电流:28.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:39.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订1374个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订1374个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":72000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1847pF@50V

    连续漏极电流:28.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:39.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1847pF@50V

    连续漏极电流:28.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:39.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:15.4A€55.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6298 起订25个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6298 起订25个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6298

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.4W€78W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1307pF@50V

    连续漏极电流:14.5A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6298 起订6个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6298 起订6个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6298

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.4W€78W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1307pF@50V

    连续漏极电流:14.5A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456CDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@50V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS9D0N10MC 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS9D0N10MC 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS9D0N10MC

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.8W€68W

    阈值电压:3V@131μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.695nF@50V

    连续漏极电流:14A€60A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:13pF@50V

    导通电阻:7.8mΩ@10V,23A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6298 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6298 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6298

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.4W€78W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1307pF@50V

    连续漏极电流:14.5A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:15.4A€55.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6298 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6298 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6298

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.4W€78W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1307pF@50V

    连续漏极电流:14.5A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:15.4A€55.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:15.4A€55.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1847pF@50V

    连续漏极电流:28.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:39.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1847pF@50V

    连续漏极电流:28.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:39.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456CDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@50V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1847pF@50V

    连续漏极电流:28.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:39.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K2P10SE 起订19个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K2P10SE 起订19个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K2P10SE

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:1.653nF@50V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:41pF@50V

    导通电阻:170mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS9D0N10MC 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS9D0N10MC 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS9D0N10MC

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.8W€68W

    阈值电压:3V@131μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.695nF@50V

    连续漏极电流:14A€60A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:13pF@50V

    导通电阻:7.8mΩ@10V,23A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订7500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订7500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1847pF@50V

    连续漏极电流:28.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:39.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K2P10SE 起订30个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K2P10SE 起订30个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K2P10SE

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:1.653nF@50V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:41pF@50V

    导通电阻:170mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:15.4A€55.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K2P10SE 起订15个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K2P10SE 起订15个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K2P10SE

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:1.653nF@50V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:41pF@50V

    导通电阻:170mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456CDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@50V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS9D0N10MC 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS9D0N10MC 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS9D0N10MC

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.8W€68W

    阈值电压:3V@131μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.695nF@50V

    连续漏极电流:14A€60A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:13pF@50V

    导通电阻:7.8mΩ@10V,23A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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