首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN11006NL,LQ 起订4个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN11006NL,LQ 起订4个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN11006NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:700mW€30W

    阈值电压:2.5V@200µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.4mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456CDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@50V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN011-60MSX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN011-60MSX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN011-60MSX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1368pF@30V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R1-30YLC,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R1-30YLC,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R1-30YLC,115

    功率:67W

    阈值电压:1.95V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1502pF@15V

    连续漏极电流:92A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.35mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0703NLSATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0703NLSATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISZ0703NLSATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:2.3V@15µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@30V

    连续漏极电流:13A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R225CFD7AUMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R225CFD7AUMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL60R225CFD7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:4.5V@240µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:225mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI10526 起订2个装
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI10526 起订2个装

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GKI10526

    工作温度:150℃

    功率:3.1W€46W

    阈值电压:2.5V@350µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1530pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:47.7mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R210CFD7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R210CFD7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R210CFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:64W

    阈值电压:4.5V@240µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:15.4A€55.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N03MSGATMA1 起订1250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N03MSGATMA1 起订1250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":7588,"23+":40000,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC100N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:12A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM220NB06CR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM220NB06CR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM220NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€68W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1454pF@30V

    连续漏极电流:8A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R195C7AUMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R195C7AUMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL65R195C7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@290µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C460NLWFAFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C460NLWFAFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C460NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:21A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7716ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7716ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€27.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:846pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€68W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1443pF@20V

    连续漏极电流:12A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:15.4A€55.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0703NLSATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0703NLSATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC0703NLSATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€44W

    阈值电压:2.3V@15µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@30V

    连续漏极电流:13A€57A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@32A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R150G7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R150G7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:106W

    阈值电压:4V@260µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:902pF@400V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R650CEAUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R650CEAUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R650CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:86W

    阈值电压:3.5V@210µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC024NE2LSATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC024NE2LSATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC024NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@12V

    连续漏极电流:25A€110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ848EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ848EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ848EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@20V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ848EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ848EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ848EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@20V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1847pF@50V

    连续漏极电流:28.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:39.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R210PFD7SAUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R210PFD7SAUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R210PFD7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:64W

    阈值电压:4.5V@240µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@400V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR220NTRPBF 起订9个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR220NTRPBF 起订9个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR220NTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R150G7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R150G7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:106W

    阈值电压:4V@260µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:902pF@400V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订1374个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订1374个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":72000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1847pF@50V

    连续漏极电流:28.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:39.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订1114个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订1114个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":19894,"23+":2598795,"24+":365085,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S55R4ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.4V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧