品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":72000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC30ASPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC30APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC30ASPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC30APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC30APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC30APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC30ASPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC30APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC30APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC30ASPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC30APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":72000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC30APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: