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    栅极电荷: 23nC@10V
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    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCQ4822-TP 起订数2000个
    MCC Mosfet场效应管 MCQ4822-TP 起订数2000个

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:1.25nF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:26mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCQ4822-TP 起订数1000个
    MCC Mosfet场效应管 MCQ4822-TP 起订数1000个

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:1.25nF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:26mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH240N60E-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH240N60E-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:783pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:240mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:130W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W€27.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:905pF@30V

    连续漏极电流:12.6A€36.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:130W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH240N60E-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH240N60E-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:783pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:240mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W€27.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:905pF@30V

    连续漏极电流:12.6A€36.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 IRF640NS 起订10个装
    MINOS Mosfet场效应管 IRF640NS 起订10个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF640NS

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:1.32nF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:130pF@25V

    导通电阻:130mΩ@10V,7.5A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MDT18N20 起订13个装
    MINOS Mosfet场效应管 MDT18N20 起订13个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT18N20

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:1.32nF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:130pF@25V

    导通电阻:130mΩ@10V,7.5A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K2P10SE 起订19个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K2P10SE 起订19个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K2P10SE

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:1.653nF@50V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:41pF@50V

    导通电阻:170mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH240N60E-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH240N60E-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:783pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:240mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 IRFP240 起订10个装
    MINOS Mosfet场效应管 IRFP240 起订10个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP240

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:1.32nF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:130pF@25V

    导通电阻:130mΩ@10V,7.5A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH240N60E-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH240N60E-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:783pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:240mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MDT18N20 起订10个装
    MINOS Mosfet场效应管 MDT18N20 起订10个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT18N20

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:1.32nF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:130pF@25V

    导通电阻:130mΩ@10V,7.5A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH240N60E-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH240N60E-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:783pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:240mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K2P10SE 起订30个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K2P10SE 起订30个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K2P10SE

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:1.653nF@50V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:41pF@50V

    导通电阻:170mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ST Mosfet场效应管 STI24N60M6 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STI24N60M6 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STI24N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:130W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    谷峰 Mosfet场效应管 G2K2P10SE 起订15个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K2P10SE 起订15个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K2P10SE

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:1.653nF@50V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:41pF@50V

    导通电阻:170mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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