采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
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功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
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规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
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功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
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功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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ECCN：EAR99
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输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
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功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
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规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
栅极电荷：23nC@10V
阈值电压：3V@131μA
反向传输电容：13pF@50V
工作温度：-55℃~+175℃
连续漏极电流：14A€60A
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
输入电容：1.695nF@50V
漏源电压：100V
功率：3.8W€68W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
阈值电压：2.5V@200μA
连续漏极电流：20A
导通电阻：12mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：23nC@10V
功率：65W
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
输入电容：1.1nF@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
阈值电压：2.5V@200μA
连续漏极电流：20A
导通电阻：12mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：23nC@10V
功率：65W
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
输入电容：1.1nF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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