品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4S04PB,LXHQ
工作温度:175℃
功率:180W
阈值电压:3V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@60A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4S04PB,LXHQ
工作温度:175℃
功率:180W
阈值电压:3V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@60A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4S04PB,LXHQ
工作温度:175℃
功率:180W
阈值电压:3V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@60A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4S04PB,LXHQ
工作温度:175℃
功率:180W
阈值电压:3V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@60A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4S04PB,LXHQ
工作温度:175℃
功率:180W
阈值电压:3V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@60A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4S04PB,LXHQ
工作温度:175℃
功率:180W
阈值电压:3V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@60A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4S04PB,LXHQ
工作温度:175℃
功率:180W
阈值电压:3V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@60A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4S04PB,LXHQ
工作温度:175℃
功率:180W
阈值电压:3V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@60A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JMTK060N06A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:181W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:103nC@10V
输入电容:5.672nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
反向传输电容:352pF@25V
导通电阻:4.5mΩ@10V,30A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4S04PB,LXHQ
功率:180W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@60A,6V
工作温度:175℃
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
阈值电压:3V@500µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JMTK060N06A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:181W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:103nC@10V
输入电容:5.672nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
反向传输电容:352pF@25V
导通电阻:4.5mΩ@10V,30A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JMTK060N06A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:181W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:103nC@10V
输入电容:5.672nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
反向传输电容:352pF@25V
导通电阻:4.5mΩ@10V,30A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4S04PB,LXHQ
工作温度:175℃
功率:180W
阈值电压:3V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@60A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4S04PB,LXHQ
工作温度:175℃
功率:180W
阈值电压:3V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@60A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4S04PB,LXHQ
工作温度:175℃
功率:180W
阈值电压:3V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@60A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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