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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LS6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：27A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR472ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€14.7W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC022N04LS6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：27A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：AOD242
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€53.5W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@20V
连续漏极电流：14.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC022N04LS6ATMA1
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功率：3W€79W
阈值电压：2.3V@250µA
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栅极电荷：28nC@10V
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输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：27A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC022N04LS6ATMA1
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功率：3W€79W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
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输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：27A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC022N04LS6ATMA1
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功率：3W€79W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
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输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：27A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC022N04LS6ATMA1
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功率：3W€79W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
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输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：27A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR472ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€14.7W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC022N04LS6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：27A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：AOD242
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€53.5W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@20V
连续漏极电流：14.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LS6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：27A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LS6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：27A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR472ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€14.7W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR472ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€14.7W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LS6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：27A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LS6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：27A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD242
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€53.5W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@20V
连续漏极电流：14.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR472ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€14.7W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR472ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€14.7W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR472ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€14.7W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LS6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：27A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LS6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：27A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR472ADP-T1-GE3
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功率：3.3W€14.7W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LS6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：27A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR472ADP-T1-GE3
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功率：3.3W€14.7W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LS6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@20V
连续漏极电流：27A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR472ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€14.7W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR472ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€14.7W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2236
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5820NLTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€33W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1462pF@25V
连续漏极电流：11A€37A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@8.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
