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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€2.8W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8310-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€2.8W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8310-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€2.8W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€2.8W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8310-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8310-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8310-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€2.8W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€2.8W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€2.8W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€2.8W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€2.8W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€2.8W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€2.8W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€2.8W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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