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    谷峰 Mosfet场效应管 18N10 起订7个装
    谷峰 Mosfet场效应管 18N10 起订7个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):18N10

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    输入电容:1.318nF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:37mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 18N10 起订30个装
    谷峰 Mosfet场效应管 18N10 起订30个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):18N10

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    输入电容:1.318nF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:37mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MDT7N65 起订21个装
    MINOS Mosfet场效应管 MDT7N65 起订21个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT7N65

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    输入电容:1.1nF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:12pF@25V

    导通电阻:1Ω@10V,3.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    MINOS Mosfet场效应管 MDT7N65 起订1000个装
    MINOS Mosfet场效应管 MDT7N65 起订1000个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT7N65

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    输入电容:1.1nF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:12pF@25V

    导通电阻:1Ω@10V,3.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 18N10 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 18N10 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):18N10

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    输入电容:1.318nF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:37mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 18N10 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 18N10 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):18N10

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    输入电容:1.318nF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:37mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    MINOS Mosfet场效应管 MDT7N65 起订30个装
    MINOS Mosfet场效应管 MDT7N65 起订30个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT7N65

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    输入电容:1.1nF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:12pF@25V

    导通电阻:1Ω@10V,3.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    MINOS Mosfet场效应管 MDT7N65 起订100个装
    MINOS Mosfet场效应管 MDT7N65 起订100个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT7N65

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    输入电容:1.1nF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:12pF@25V

    导通电阻:1Ω@10V,3.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT9N50D 起订19个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT9N50D 起订19个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT9N50D

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    输入电容:790pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:24pF@25V

    导通电阻:700mΩ@10V,4.5A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:28nC@10V

    输入电容:1.64nF@20V

    类型:1个N沟道

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:14A€42A

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MDT7N65 起订1000个装
    MINOS Mosfet场效应管 MDT7N65 起订1000个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT7N65

    栅极电荷:28nC@10V

    类型:1个N沟道

    功率:48W

    导通电阻:1Ω@10V,3.5A

    输入电容:1.1nF@25V

    反向传输电容:12pF@25V

    漏源电压:650V

    阈值电压:4V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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