首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    栅极电荷
    工作温度
    行业应用
    类型
    漏源电压
    连续漏极电流
    栅极电荷: 28nC@10V
    工作温度: 150℃
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:90+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8310-TL-H 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8310-TL-H 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8310-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E050RPTR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E050RPTR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E050RPTR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK22E10N1,S1X 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK22E10N1,S1X 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK22E10N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@50V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3565(Q,M) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3565(Q,M) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3565(Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1150pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@3A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E050RPTR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8310-TL-H 起订750个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8310-TL-H 起订750个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8310-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E050RPTR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订30个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订30个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E050RPTR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8310-TL-H 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8310-TL-H 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8310-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E050RPTR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8310-TL-H 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8310-TL-H 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8310-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8310-TL-H 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8310-TL-H 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8310-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订5个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订5个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E050RPTR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E050RPTR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E050RPTR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E050RPTR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订4000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订4000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E050RPTR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订4000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订4000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E050RPTR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK22A10N1,S4X 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK22A10N1,S4X 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK22A10N1,S4X

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E050RPTR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E050RPTR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧