采购热线 400-661-9010
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3400
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
输入电容：535pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：36pF@15V
导通电阻：27mΩ@10V，5.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3400
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
输入电容：535pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：36pF@15V
导通电阻：27mΩ@10V，5.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3400
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
输入电容：535pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：36pF@15V
导通电阻：27mΩ@10V，5.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3400
阈值电压：1.5V@250μA
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
导通电阻：27mΩ@10V，5.6A
输入电容：535pF@15V
栅极电荷：4.8nC@4.5V
连续漏极电流：5.6A
反向传输电容：36pF@15V
功率：1.2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，3.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，3.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3400
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
输入电容：535pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：36pF@15V
导通电阻：27mΩ@10V，5.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
输入电容：410pF@20V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@4.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，3.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
输入电容：410pF@20V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@4.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3440-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@20V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@4.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
