包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYH40N90C3D1
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):180A
关断延迟时间:78ns
反向恢复时间:100ns
关断损耗:1mJ
开启延迟时间:27ns
集电极截止电流(Ices):900V
栅极电荷:74nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,40A
导通损耗:1.9mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYH40N90C3D1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):180A
关断延迟时间:78ns
反向恢复时间:100ns
关断损耗:1mJ
开启延迟时间:27ns
集电极截止电流(Ices):900V
栅极电荷:74nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,40A
导通损耗:1.9mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030JNZ4C13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370W
阈值电压:5V
栅极电荷:74nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:143mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030JNZ4C13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370W
阈值电压:5V
栅极电荷:74nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:143mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG060N065SC1
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:4.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:46A
类型:MOSFET
导通电阻:70mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1821
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030JNZ4C13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370W
阈值电压:5V
栅极电荷:74nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:143mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYH40N90C3D1
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):180A
关断延迟时间:78ns
反向恢复时间:100ns
关断损耗:1mJ
开启延迟时间:27ns
集电极截止电流(Ices):900V
栅极电荷:74nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,40A
导通损耗:1.9mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYH40N90C3D1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):180A
关断延迟时间:78ns
反向恢复时间:100ns
关断损耗:1mJ
开启延迟时间:27ns
集电极截止电流(Ices):900V
栅极电荷:74nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,40A
导通损耗:1.9mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYH40N90C3D1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):180A
关断延迟时间:78ns
反向恢复时间:100ns
关断损耗:1mJ
开启延迟时间:27ns
集电极截止电流(Ices):900V
栅极电荷:74nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,40A
导通损耗:1.9mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYH40N90C3D1
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):180A
关断延迟时间:78ns
反向恢复时间:100ns
关断损耗:1mJ
开启延迟时间:27ns
集电极截止电流(Ices):900V
栅极电荷:74nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,40A
导通损耗:1.9mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYH40N90C3D1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):180A
关断延迟时间:78ns
反向恢复时间:100ns
关断损耗:1mJ
开启延迟时间:27ns
集电极截止电流(Ices):900V
栅极电荷:74nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,40A
导通损耗:1.9mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG060N065SC1
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:4.3V
栅极电荷:74nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:46A
类型:MOSFET
导通电阻:70mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030JNZ4C13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370W
阈值电压:5V
栅极电荷:74nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:143mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG060N065SC1
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:4.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:46A
类型:MOSFET
导通电阻:70mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030JNZ4C13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370W
阈值电压:5V
栅极电荷:74nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:143mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030JNZ4C13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370W
阈值电压:5V
栅极电荷:74nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:143mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030JNZ4C13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370W
阈值电压:5V
栅极电荷:74nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:143mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG060N065SC1
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:4.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:46A
类型:MOSFET
导通电阻:70mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG060N065SC1
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:4.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:46A
类型:MOSFET
导通电阻:70mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030JNZ4C13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370W
阈值电压:5V
栅极电荷:74nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:143mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTBG060N065SC1
漏源电压:650V
包装方式:Reel
连续漏极电流:46A
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:74nC
阈值电压:4.3V
类型:MOSFET
导通电阻:70mΩ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030JNZ4C13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370W
阈值电压:5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:143mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1821
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030JNZ4C13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370W
阈值电压:5V
栅极电荷:74nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:143mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030JNZ4C13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370W
阈值电压:5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:143mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"13+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJH1CM5DPQ-E0#T2
ECCN:EAR99
包装方式:管件
关断延迟时间:100ns
反向恢复时间:200ns
关断损耗:700µJ
开启延迟时间:40ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:74nC
集电极电流(Ic):2.7V@15V,15A
导通损耗:1.6mJ
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG060N065SC1
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:4.3V
栅极电荷:74nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:46A
类型:MOSFET
导通电阻:70mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"13+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJH1CM5DPQ-E0#T2
ECCN:EAR99
包装方式:管件
关断延迟时间:100ns
反向恢复时间:200ns
关断损耗:700µJ
开启延迟时间:40ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:74nC
集电极电流(Ic):2.7V@15V,15A
导通损耗:1.6mJ
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYH40N90C3D1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):180A
关断延迟时间:78ns
反向恢复时间:100ns
关断损耗:1mJ
开启延迟时间:27ns
集电极截止电流(Ices):900V
栅极电荷:74nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,40A
导通损耗:1.9mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030JNZ4C13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370W
阈值电压:5V
栅极电荷:74nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:143mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1821
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030JNZ4C13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370W
阈值电压:5V
栅极电荷:74nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:143mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: