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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C456NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：20A€80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D120-60PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.3W€15W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：724pF@30V
连续漏极电流：3A€8A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9520SPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@4.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D120-60PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.3W€15W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：724pF@30V
连续漏极电流：3A€8A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C456NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：20A€80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD075N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C456NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：20A€80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C454NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C454NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€85A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD075N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD075N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9520PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@4.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1A，4.5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6N044ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：3V@14µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1042pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.52mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C454NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€85A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M9R5-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1166pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C454NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€85A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C454NLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€85A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD558
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1187pF@15V
连续漏极电流：17A€50A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20NF06
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C454NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€85A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D120-60PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.3W€15W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：724pF@30V
连续漏极电流：3A€8A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD558
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1187pF@15V
连续漏极电流：17A€50A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9520STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@4.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1A，4.5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9520PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@4.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9520PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@4.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
