品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N60KPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:370W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3570pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N60KPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:370W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3570pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N60KPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:370W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3570pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK48N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:830W
阈值电压:5V@8mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8860pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6046FNZ1C9
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6230pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:98mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN48N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5.5V@8mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8860pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N60KPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:370W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3570pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N60KPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:370W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3570pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N60KPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:370W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3570pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK48N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:830W
阈值电压:5V@8mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8860pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N60KPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:370W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3570pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN48N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5.5V@8mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8860pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N60KPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:370W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3570pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60ET1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):IRFP22N60KPBF
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:3570pF@25V
导通电阻:280mΩ@13A,10V
连续漏极电流:22A
包装方式:管件
功率:370W
漏源电压:600V
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):IRFP22N60KPBF
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:3570pF@25V
导通电阻:280mΩ@13A,10V
连续漏极电流:22A
包装方式:管件
功率:370W
漏源电压:600V
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SIHB33N60ET1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:33A
输入电容:3508pF@100V
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHP33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:33A
包装方式:管件
输入电容:3508pF@100V
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: