品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:2.6nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@10V,9.6A
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:9.13nF@40V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,55A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:2.6nF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@10V,8.4A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP82N04NDG-S18-AY
功率:1.8W€143W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:9nF@25V
连续漏极电流:82A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@41A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":4900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP82N04MDG-S18-AY
功率:1.8W€143W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:9pF@25V
连续漏极电流:82A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@41A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":4900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP82N04MDG-S18-AY
功率:1.8W€143W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:9pF@25V
连续漏极电流:82A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@41A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:2.6nF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@10V,8.4A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP110N8F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9130pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@55A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:3.85nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@10V,40A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ130N20T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:830W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:8.8nF@25V
连续漏极电流:130A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@65A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":1700}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP82N04NLG-S18-AY
功率:1.8W€143W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:9nF@25V
连续漏极电流:82A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@41A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ130N20T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:830W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:8.8nF@25V
连续漏极电流:130A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@65A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ130N20T
输入电容:8.8nF@25V
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
连续漏极电流:130A
漏源电压:200V
功率:830W
导通电阻:16mΩ@65A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ130N20T
输入电容:8.8nF@25V
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
连续漏极电流:130A
漏源电压:200V
功率:830W
导通电阻:16mΩ@65A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"10+":1700}
规格型号(MPN):NP82N04NLG-S18-AY
导通电阻:4.2mΩ@41A,10V
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
输入电容:9nF@25V
阈值电压:2.5V@250μA
功率:1.8W€143W
连续漏极电流:82A
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6547ENZ4C13
功率:480W
阈值电压:4V@1.72mA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:3.8nF@25V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@25.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6547ENZ4C13
功率:480W
阈值电压:4V@1.72mA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:3.8nF@25V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@25.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6547ENZ4C13
功率:480W
阈值电压:4V@1.72mA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:3.8nF@25V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@25.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6547ENZ4C13
功率:480W
阈值电压:4V@1.72mA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:3.8nF@25V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@25.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6547ENZ4C13
功率:480W
阈值电压:4V@1.72mA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:3.8nF@25V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@25.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:2.6nF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@10V,8.4A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":1700}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP82N04NLG-S18-AY
功率:1.8W€143W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:9nF@25V
连续漏极电流:82A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@41A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD110N8F6
工作温度:-55℃~+175℃
功率:167W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.13nF@40V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP82N04NDG-S18-AY
功率:1.8W€143W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:9nF@25V
连续漏极电流:82A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@41A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-40℃~+175℃
功率:360W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:5.86nF@25V
连续漏极电流:57A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@10V,35A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:2.6nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@10V,9.6A
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:5.38nF@50V
连续漏极电流:72A
类型:1个N沟道
导通电阻:22mΩ@10V,44A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP82N04NDG-S18-AY
功率:1.8W€143W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:9nF@25V
连续漏极电流:82A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@41A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD110N8F6
工作温度:-55℃~+175℃
功率:167W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.13nF@40V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: