品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P06-15L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5910pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P06-15L_T4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5910pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P06-15L_T4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5910pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ463EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5875pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH140P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH140P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ463EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5875pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH140P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH140P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH140P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH140P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ463EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5875pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P06-15L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5910pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: