品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ410EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7350pF@25V
连续漏极电流:135A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7315pF@25V
连续漏极电流:437A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ136ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8015pF@25V
连续漏极电流:350A
类型:N沟道
导通电阻:1.12mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7779L2TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6660pF@25V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@40A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P06-15L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5910pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P06-15L_T4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5910pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P06-15L_T4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5910pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€300W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4127TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@50V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@44A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7315pF@25V
连续漏极电流:437A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ463EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5875pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4127TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@50V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@44A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7315pF@25V
连续漏极电流:437A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFS4127TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@50V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@44A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7315pF@25V
连续漏极电流:437A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7779L2TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6660pF@25V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@40A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7315pF@25V
连续漏极电流:437A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7779L2TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6660pF@25V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@40A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB80N03S203GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7779L2TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6660pF@25V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@40A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4127TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@50V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@44A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S2L06ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2V@180µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3800pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@69A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB100NF04T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: