首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    栅极电荷: 23nC@4.5V
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDC608PZ 起订13个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC608PZ 起订13个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC608PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@5.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7469TRPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7469TRPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2205

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7469TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订9个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订9个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30XPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1575pF@10V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7469TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7469TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7469TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订15000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订15000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30XPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1575pF@10V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7469TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7469TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7469TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7116DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC608PZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC608PZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC608PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@5.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订6000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订6000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30XPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1575pF@10V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30XPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1575pF@10V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116DN-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116DN-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7116DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4503NR2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4503NR2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":641,"16+":129500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4503NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:930mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@16V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@14A,10V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116DN-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116DN-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7116DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116DN-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116DN-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7116DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7116DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30XPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1575pF@10V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7469TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7469TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7469TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7469TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7469TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7469TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116DN-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116DN-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7116DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7469TRPBF 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7469TRPBF 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7469TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7469TRPBF 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7469TRPBF 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2205

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7469TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB33XP,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB33XP,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB33XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1575pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:37mΩ@5.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30XPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1575pF@10V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧