销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4132
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC030N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:3.8V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC030N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:3.8V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4132
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT061N60S5F
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:4.8V@4.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4175pF@400V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:61mΩ@20.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12748}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N08S5N031ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5525pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7920pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4132
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG20N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2942pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N08S5N031ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5525pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT061N60S5F
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:4.8V@4.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4175pF@400V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:61mΩ@20.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP050N10NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€150W
阈值电压:3.8V@84µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@50V
连续漏极电流:19.4A€110A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP350LCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@9.6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC030N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:3.8V@95µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5302TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€100W
阈值电压:2.35V@100µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB110N20N3LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.2V@260µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:88A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@88A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7920pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7920pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7920pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG20N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2942pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5302TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€100W
阈值电压:2.35V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5302TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€100W
阈值电压:2.35V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7920pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG20N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2942pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N08S5N031ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5525pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100S04N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:180W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5490pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR580DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@40V
连续漏极电流:35.8A€146A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA15N60E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5302TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€100W
阈值电压:2.35V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100S04N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:180W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5490pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: