采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXXH30N60C3D1
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：110A
关断延迟时间：77ns
反向恢复时间：25ns
关断损耗：270µJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：37nC
类型：PT
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，24A
导通损耗：500µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R190P6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：34W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：37nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：20.2A
类型：MOSFET
导通电阻：190Ω
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKA15N65ET6XKSA2
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：57.5A
关断延迟时间：117ns
反向恢复时间：69ns
关断损耗：110µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：37nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.9V@15V，11.5A
导通损耗：230µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGD15N65T6ARMA1
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：57.5A
关断延迟时间：117ns
关断损耗：110µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：37nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.9V@15V，11.5A
导通损耗：230µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R190P6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：151W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：37nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：20.2A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R190P6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：34W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：37nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：20.2A
类型：MOSFET
导通电阻：190Ω
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：20800，"MI+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGP10N60UNDF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：30A
关断延迟时间：52.2ns
反向恢复时间：37.7ns
关断损耗：50µJ
开启延迟时间：8ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：37nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.45V@15V，10A
导通损耗：150µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGD15N65T6ARMA1
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：57.5A
关断延迟时间：117ns
关断损耗：110µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：37nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.9V@15V，11.5A
导通损耗：230µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R190P6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：34W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：37nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：20.2A
类型：MOSFET
导通电阻：190Ω
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R190P6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：34W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：37nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：20.2A
类型：MOSFET
导通电阻：190Ω
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R190P6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：151W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：37nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：20.2A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：800，"19+"：36800，"22+"：575，"MI+"：4800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGP10N60UNDF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：30A
关断延迟时间：52.2ns
反向恢复时间：37.7ns
关断损耗：50µJ
开启延迟时间：8ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：37nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.45V@15V，10A
导通损耗：150µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：20800，"MI+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGP10N60UNDF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：30A
关断延迟时间：52.2ns
反向恢复时间：37.7ns
关断损耗：50µJ
开启延迟时间：8ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：37nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.45V@15V，10A
导通损耗：150µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：800，"19+"：36800，"22+"：575，"MI+"：4800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGP10N60UNDF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：30A
关断延迟时间：52.2ns
反向恢复时间：37.7ns
关断损耗：50µJ
开启延迟时间：8ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：37nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.45V@15V，10A
导通损耗：150µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"17+"：100}
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJH60D3DPP-M0#T2
ECCN：EAR99
包装方式：管件
关断延迟时间：80ns
反向恢复时间：100ns
关断损耗：210µJ
开启延迟时间：35ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：37nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，17A
导通损耗：200µJ
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：800，"19+"：36800，"22+"：575，"MI+"：4800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGP10N60UNDF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：30A
关断延迟时间：52.2ns
反向恢复时间：37.7ns
关断损耗：50µJ
开启延迟时间：8ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：37nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.45V@15V，10A
导通损耗：150µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：800，"19+"：36800，"22+"：575，"MI+"：4800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGP10N60UNDF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：30A
关断延迟时间：52.2ns
反向恢复时间：37.7ns
关断损耗：50µJ
开启延迟时间：8ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：37nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.45V@15V，10A
导通损耗：150µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGD15N65T6ARMA1
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：57.5A
关断延迟时间：117ns
关断损耗：110µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：37nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.9V@15V，11.5A
导通损耗：230µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：20800，"MI+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGP10N60UNDF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：30A
关断延迟时间：52.2ns
反向恢复时间：37.7ns
关断损耗：50µJ
开启延迟时间：8ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：37nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.45V@15V，10A
导通损耗：150µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"20+"：2701，"21+"：618，"9999"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGD15N65T6ARMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：57.5A
关断延迟时间：117ns
关断损耗：110µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：37nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.9V@15V，11.5A
导通损耗：230µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP011N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136.4W
阈值电压：4.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC
包装方式：管件
连续漏极电流：74.3A
类型：MOSFET
导通电阻：10.9mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R190P6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：34W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：37nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：20.2A
类型：MOSFET
导通电阻：190Ω
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP011N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136.4W
阈值电压：4.5V
栅极电荷：37nC
包装方式：管件
连续漏极电流：74.3A
类型：MOSFET
导通电阻：10.9mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP011N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136.4W
阈值电压：4.5V
栅极电荷：37nC
包装方式：管件
连续漏极电流：74.3A
类型：MOSFET
导通电阻：10.9mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：NTP011N15MC
连续漏极电流：74.3A
栅极电荷：37nC
漏源电压：150V
导通电阻：10.9mΩ
包装方式：管件
阈值电压：4.5V
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136.4W
ECCN：EAR99
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：NTP011N15MC
连续漏极电流：74.3A
栅极电荷：37nC
漏源电压：150V
导通电阻：10.9mΩ
包装方式：管件
阈值电压：4.5V
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136.4W
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
生产批次：{"18+"：800，"19+"：36800，"22+"：575，"MI+"：4800}
规格型号(MPN)：FGP10N60UNDF
集电极脉冲电流(Icm)：30A
关断延迟时间：52.2ns
反向恢复时间：37.7ns
工作温度：-55℃ ~ 150℃
集电极截止电流(Ices)：600V
集电极电流(Ic)：2.45V@15V，10A
ECCN：EAR99
关断损耗：50µJ
导通损耗：150µJ
开启延迟时间：8ns
类型：NPT
栅极电荷：37nC
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：IPA60R190P6
阈值电压：3.5V
栅极电荷：37nC
功率：34W
导通电阻：190Ω
包装方式：Tube
连续漏极电流：20.2A
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：600V
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
生产批次：{"20+"：2701，"21+"：618，"9999"：2000}
规格型号(MPN)：IGD15N65T6ARMA1
集电极电流(Ic)：1.9V@15V，11.5A
类型：沟槽型场截止
ECCN：EAR99
关断延迟时间：117ns
导通损耗：230µJ
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：57.5A
集电极截止电流(Ices)：650V
开启延迟时间：30ns
工作温度：-40℃ ~ 175℃
关断损耗：110µJ
栅极电荷：37nC
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP011N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136.4W
阈值电压：4.5V
栅极电荷：37nC
包装方式：管件
连续漏极电流：74.3A
类型：MOSFET
导通电阻：10.9mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
