包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC040N10NS5

工作温度：-55℃~+150℃

功率：139W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：58nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：100A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：RGTH60TS65GC13

ECCN：EAR99

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：120A

关断延迟时间：105ns

开启延迟时间：27ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：58nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，30A

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：RGS00TS65HRC11

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：150A

关断延迟时间：115ns

关断损耗：1.29mJ

开启延迟时间：36ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：58nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，50A

导通损耗：1.46mJ

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RGTH60TK65DGC11

ECCN：EAR99

栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，30A

关断延迟时间：105ns

反向恢复时间：58ns

开启延迟时间：27ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：58nC

类型：FS(场截止)

工作温度：-40℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RGTH60TS65DGC11

ECCN：EAR99

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：120A

关断延迟时间：105ns

反向恢复时间：58ns

开启延迟时间：27ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：58nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，30A

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：RGS00TS65HRC11

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：150A

关断延迟时间：115ns

关断损耗：1.29mJ

开启延迟时间：36ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：58nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，50A

导通损耗：1.46mJ

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：RGS00TS65DHRC11

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：150A

关断延迟时间：115ns

反向恢复时间：103ns

关断损耗：1.29mJ

开启延迟时间：36ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：58nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，50A

导通损耗：1.46mJ

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：RGT60TS65DGC11

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：90A

关断延迟时间：100ns

反向恢复时间：58ns

开启延迟时间：29ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：58nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，30A

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：RGTH60TS65DGC13

ECCN：EAR99

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：120A

关断延迟时间：105ns

反向恢复时间：58ns

开启延迟时间：27ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：58nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，30A

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXYH30N120B4

栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，25A

关断延迟时间：245ns

反向恢复时间：60ns

关断损耗：2.6mJ

开启延迟时间：20ns

集电极截止电流(Ices)：1.2kV

栅极电荷：58nC

类型：PT(穿通型)

导通损耗：4.4mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTH4LN095N65S3H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：58nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：95mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：2000，"MI+"：1000}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：40W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：58nC

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：95mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：2000，"MI+"：1000}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：40W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：58nC

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：95mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：40W

阈值电压：4V

栅极电荷：58nC

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：95mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：40W

阈值电压：4V

栅极电荷：58nC

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：95mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：40W

阈值电压：4V

栅极电荷：58nC

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：95mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC040N10NS5

工作温度：-55℃~+150℃

功率：139W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：58nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：100A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTH4LN095N65S3H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：58nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：95mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：2504}

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPTG054N15NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：58nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：143A

类型：MOSFET

导通电阻：5.4mΩ

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTH4LN095N65S3H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：58nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：95mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPTG054N15NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：58nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：143A

类型：MOSFET

导通电阻：5.4mΩ

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：RGTH60TS65GC13

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：120A

关断延迟时间：105ns

开启延迟时间：27ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：58nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，30A

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：RGS00TS65DHRC11

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：150A

关断延迟时间：115ns

反向恢复时间：103ns

关断损耗：1.29mJ

开启延迟时间：36ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：58nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，50A

导通损耗：1.46mJ

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：RGS00TS65HRC11

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：150A

关断延迟时间：115ns

关断损耗：1.29mJ

开启延迟时间：36ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：58nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，50A

导通损耗：1.46mJ

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：RGTH60TS65DGC13

ECCN：EAR99

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：120A

关断延迟时间：105ns

反向恢复时间：58ns

开启延迟时间：27ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：58nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，30A

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RGTH60TS65DGC11

ECCN：EAR99

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：120A

关断延迟时间：105ns

反向恢复时间：58ns

开启延迟时间：27ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：58nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，30A

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC040N10NS5

工作温度：-55℃~+150℃

功率：139W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：58nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：100A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：RGTH60TS65GC13

ECCN：EAR99

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：120A

关断延迟时间：105ns

开启延迟时间：27ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：58nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，30A

工作温度：-40℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RGT60TS65DGC13

栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，30A

关断延迟时间：100ns

反向恢复时间：58ns

开启延迟时间：29ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：58nC

类型：FS(场截止)

工作温度：-40℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC040N10NS5

工作温度：-55℃~+150℃

功率：139W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：58nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：100A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1