采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R306PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8100pF@30V
连续漏极电流：260A
类型：N沟道
导通电阻：1.29mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3500
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4765pF@40V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€166W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：35A€224A
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC022N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€254W
阈值电压：3.3V@147µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@50V
连续漏极电流：25A€230A
类型：N沟道
导通电阻：2.24mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R306PL1，LQ
工作温度：175℃
功率：960mW€210W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8100pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：7179}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D6N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：38A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.36mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N10S405ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：3.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6540pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK762R7-30B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6212pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R306PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8100pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C612NLT1G-UIL5
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R306PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8100pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C612NLT1G-UIL5
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€166W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：35A€224A
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€166W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：35A€224A
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR826LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€83W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@40V
连续漏极电流：21.3A€86A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R306PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8100pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2755，"22+"：17983}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€166W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：35A€224A
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N10S405ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：3.5V@120µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6540pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R306PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8100pF@30V
连续漏极电流：260A
类型：N沟道
导通电阻：1.29mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C612NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3500
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4765pF@40V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€166W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：35A€224A
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC022N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€254W
阈值电压：3.3V@147µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@50V
连续漏极电流：25A€230A
类型：N沟道
导通电阻：2.24mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C612NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：38A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.36mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：7179}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D6N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：38A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.36mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C612NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC022N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€254W
阈值电压：3.3V@147µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@50V
连续漏极电流：25A€230A
类型：N沟道
导通电阻：2.24mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N10S405ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：3.5V@120µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6540pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C612NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：38A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.36mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R306PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8100pF@30V
连续漏极电流：260A
类型：N沟道
导通电阻：1.29mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
