采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7611DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7611DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PB，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5855pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PB，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5855pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7611DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PB，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5855pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：259W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PB，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5855pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7611DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40YSDX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：147W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：4.507nF@20V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7611DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7611DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40YSDX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：147W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：4.507nF@20V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7611DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：259W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9000，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40YSDX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：147W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：4.507nF@20V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PB，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5855pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40YSDX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：147W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：4.507nF@20V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7611DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PB，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5855pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PB，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5855pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：259W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：259W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：259W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7611DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：259W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PB，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5855pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PB，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5855pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PB，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5855pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7611DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
