采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL225N6F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：796}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL225N6F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL225N6F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL225N6F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL225N6F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：796}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
导通电阻：271mΩ@7A，10V
类型：N沟道
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：1749pF@100V
漏源电压：650V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：15A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL225N6F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
