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    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP5800

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9160pF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R035CFD7AXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R035CFD7AXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW65R035CFD7AXKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:305W

    阈值电压:4.5V@1.79mA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7149pF@400V

    连续漏极电流:63A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@35.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6500 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6500 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6500

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7036pF@15V

    连续漏极电流:71A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.95mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK64N50Q3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK64N50Q3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFK64N50Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1000W

    阈值电压:6.5V@4mA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6950pF@25V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@32A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7E1R8-40E,127 起订292个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7E1R8-40E,127 起订292个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":188,"18+":9038,"19+":2000,"20+":19000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7E1R8-40E,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:349W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11340pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R029CFD7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R029CFD7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW65R029CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:305W

    阈值电压:4.5V@1.79mA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7149pF@400V

    连续漏极电流:69A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@35.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120N06-06_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120N06-06_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM120N06-06_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6495pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ96N20P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ96N20P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ96N20P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4800pF@25V

    连续漏极电流:96A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@500mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ144AER-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ144AER-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ144AER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9020pF@25V

    连续漏极电流:575A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S3H2ATMA1 起订168个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S3H2ATMA1 起订168个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":377,"21+":492}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB160N04S3H2ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9600pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP5800

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9160pF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6035pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA24N60 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA24N60 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA24N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5500pF@25V

    连续漏极电流:23.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ144AE-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ144AE-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ144AE-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9020pF@25V

    连续漏极电流:575A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6500 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6500 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6500

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7036pF@15V

    连续漏极电流:71A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.95mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D6N03CT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D6N03CT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS0D6N03CT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€200W

    阈值电压:2.2V@280µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10500pF@15V

    连续漏极电流:60A€433A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.62mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6035pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6035pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP5800

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9160pF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6035pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTL66610 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTL66610 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTL66610

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:272W€8.3W

    阈值电压:3.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.625nF@30V

    连续漏极电流:61A€350A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK64N50Q3 起订13个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK64N50Q3 起订13个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFK64N50Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1000W

    阈值电压:6.5V@4mA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6950pF@25V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@32A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB100N04S303ATMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB100N04S303ATMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":790,"24+":8000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB100N04S303ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9600pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA24N60 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA24N60 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":550,"21+":12100,"22+":12050}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA24N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5500pF@25V

    连续漏极电流:23.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX64N50Q3 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX64N50Q3 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFX64N50Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1000W

    阈值电压:6.5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6950pF@25V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@32A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D6N03CT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D6N03CT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS0D6N03CT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€200W

    阈值电压:2.2V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10500pF@15V

    连续漏极电流:60A€433A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.62mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ144AE-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ144AE-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ144AE-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9020pF@25V

    连续漏极电流:575A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA24N60 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA24N60 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA24N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5500pF@25V

    连续漏极电流:23.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6035pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ144AE-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ144AE-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ144AE-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9020pF@25V

    连续漏极电流:575A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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