品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66610
工作温度:-55℃~+175℃
功率:272W€8.3W
阈值电压:3.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.625nF@30V
连续漏极电流:61A€350A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66610
工作温度:-55℃~+175℃
功率:272W€8.3W
阈值电压:3.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.625nF@30V
连续漏极电流:61A€350A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66610
工作温度:-55℃~+175℃
功率:272W€8.3W
阈值电压:3.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.625nF@30V
连续漏极电流:61A€350A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:5V@3.5mA
栅极电荷:145nC@10V
输入电容:4.895nF@100V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@10V,17.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66610
工作温度:-55℃~+175℃
功率:272W€8.3W
阈值电压:3.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.625nF@30V
连续漏极电流:61A€350A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66610
工作温度:-55℃~+175℃
功率:272W€8.3W
阈值电压:3.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.625nF@30V
连续漏极电流:61A€350A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66610
工作温度:-55℃~+175℃
功率:272W€8.3W
阈值电压:3.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.625nF@30V
连续漏极电流:61A€350A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66610
工作温度:-55℃~+175℃
功率:272W€8.3W
阈值电压:3.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.625nF@30V
连续漏极电流:61A€350A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66610
工作温度:-55℃~+175℃
功率:272W€8.3W
阈值电压:3.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.625nF@30V
连续漏极电流:61A€350A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66610
工作温度:-55℃~+175℃
功率:272W€8.3W
阈值电压:3.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.625nF@30V
连续漏极电流:61A€350A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66610
工作温度:-55℃~+175℃
功率:272W€8.3W
阈值电压:3.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.625nF@30V
连续漏极电流:61A€350A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT6556T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:400W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:145nC@10V
输入电容:8.725nF@20V
连续漏极电流:400A
类型:1个N沟道
反向传输电容:116F@20V
导通电阻:0.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT6556T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:400W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:145nC@10V
输入电容:8.725nF@20V
连续漏极电流:400A
类型:1个N沟道
反向传输电容:116F@20V
导通电阻:0.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT6556T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:400W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:145nC@10V
输入电容:8.725nF@20V
连续漏极电流:400A
类型:1个N沟道
反向传输电容:116F@20V
导通电阻:0.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:230W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:145nC@10V
输入电容:6.495nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:481W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:145nC@10V
输入电容:3.85nF@25V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@25.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6500
工作温度:-55℃~+150℃
功率:7.3W€83W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.036nF@15V
连续漏极电流:71A€200A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.95mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:230W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:145nC@10V
输入电容:6.495nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:230W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:145nC@10V
输入电容:6.495nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:230W
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:3.5V@250μA
导通电阻:6mΩ@30A,10V
栅极电荷:145nC@10V
连续漏极电流:120A
漏源电压:60V
输入电容:6.495nF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: