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    栅极电荷: 82nC@10V
    漏源电压: 40V
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4825pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.1mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4825pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.1mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRLH5034TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLH5034TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLH5034TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€156W

    阈值电压:2.5V@150µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4730pF@25V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NWFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NWFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C420NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€150W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@20V

    连续漏极电流:43A€268A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4825pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.1mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4825pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.1mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRLH5034TRPBF 起订100个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLH5034TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€156W

    阈值电压:2.5V@150µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4730pF@25V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

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    导通电阻:16.1mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRLH5034TRPBF 起订10个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLH5034TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€156W

    阈值电压:2.5V@150µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4730pF@25V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRLH5034TRPBF 起订500个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLH5034TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€156W

    阈值电压:2.5V@150µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4730pF@25V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4825pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.1mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NWFT1G 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C420NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€150W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@20V

    连续漏极电流:43A€268A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NWFT1G 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C420NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€150W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@20V

    连续漏极电流:43A€268A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

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    栅极电荷:82nC@10V

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    导通电阻:16.1mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NT1G 起订1个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C420NT1G

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    功率:3.8W€150W

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    连续漏极电流:43A€268A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@50A,10V

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NT1G 起订1个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C420NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€150W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:82nC@10V

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    连续漏极电流:43A€268A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订3个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

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    导通电阻:16.1mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NWFT1G 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C420NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€150W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:82nC@10V

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    连续漏极电流:43A€268A

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NT1G 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C420NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€150W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@20V

    连续漏极电流:43A€268A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@50A,10V

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NT1G 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C420NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€150W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@20V

    连续漏极电流:43A€268A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@50A,10V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订1000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

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    输入电容:4825pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.1mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NT1G 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C420NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€150W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:82nC@10V

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    输入电容:5340pF@20V

    连续漏极电流:43A€268A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@50A,10V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NT1G 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C420NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€150W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:82nC@10V

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    输入电容:5340pF@20V

    连续漏极电流:43A€268A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

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    输入电容:4825pF@25V

    连续漏极电流:16A

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    导通电阻:16.1mΩ@12A,10V

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NWFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NWFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C420NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€150W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@20V

    连续漏极电流:43A€268A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4825pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.1mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NWFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NWFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C420NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€150W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@20V

    连续漏极电流:43A€268A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4825pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.1mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUA120N04S5N014AUMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUA120N04S5N014AUMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUA120N04S5N014AUMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.4V@60μA

    栅极电荷:82nC@10V

    输入电容:4.828nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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