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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@20V
连续漏极电流：37A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
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类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
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连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
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栅极电荷：87nC@10V
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栅极电荷：87nC@10V
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
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行业应用：工业,汽车
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功率：2.5W€139W
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连续漏极电流：37A€100A
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输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
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连续漏极电流：37A€100A
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工作温度：-55℃~175℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
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