品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPCA8026(TE12L,Q,M
工作温度:150℃
功率:1.6W€45W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@23A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS001N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€244W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8705pF@30V
连续漏极电流:53.7A€376A
类型:N沟道
导通电阻:0.91mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4483EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":6952,"MI+":970}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0300N1007L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8295pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@26A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":6952,"MI+":970}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0300N1007L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8295pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@26A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS001N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€244W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8705pF@30V
连续漏极电流:53.7A€376A
类型:N沟道
导通电阻:0.91mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4483EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPCA8026(TE12L,Q,M
工作温度:150℃
功率:1.6W€45W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@23A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):G110N06K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.538nF@25V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS001N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€244W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8705pF@30V
连续漏极电流:53.7A€376A
类型:N沟道
导通电阻:0.91mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS001N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€244W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8705pF@30V
连续漏极电流:53.7A€376A
类型:N沟道
导通电阻:0.91mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR51-25YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.2V@2mA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6990pF@12V
连续漏极电流:380A
类型:N沟道
导通电阻:0.57mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4483BEEY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4483EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ110EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS001N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€244W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8705pF@30V
连续漏极电流:53.7A€376A
类型:N沟道
导通电阻:0.91mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS001N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€244W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8705pF@30V
连续漏极电流:53.7A€376A
类型:N沟道
导通电阻:0.91mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2018LFK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4748pF@10V
连续漏极电流:9.2A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS001N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€244W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8705pF@30V
连续漏极电流:53.7A€376A
类型:N沟道
导通电阻:0.91mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4483BEEY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPCA8026(TE12L,Q,M
工作温度:150℃
功率:1.6W€45W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@23A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR51-25YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.2V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6990pF@12V
连续漏极电流:380A
类型:N沟道
导通电阻:0.57mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):G110N06K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.538nF@25V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPCA8026(TE12L,Q,M
工作温度:150℃
功率:1.6W€45W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@23A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS001N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€244W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8705pF@30V
连续漏极电流:53.7A€376A
类型:N沟道
导通电阻:0.91mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS001N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€244W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8705pF@30V
连续漏极电流:53.7A€376A
类型:N沟道
导通电阻:0.91mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):G110N06K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.538nF@25V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ110EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ110EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2018LFK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4748pF@10V
连续漏极电流:9.2A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: