采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH52N65X
工作温度：-55℃~150℃
功率：660W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4350pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@26A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH52N50P2
工作温度：-55℃~150℃
功率：960W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：113nC@10V
输入电容：6800pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@26A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH52N50P2
工作温度：-55℃~150℃
功率：960W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：113nC@10V
输入电容：6800pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@26A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH52N50P2
工作温度：-55℃~150℃
功率：960W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：113nC@10V
输入电容：6800pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@26A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH52N50P2
工作温度：-55℃~150℃
功率：960W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：113nC@10V
输入电容：6800pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@26A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH52N50P2
工作温度：-55℃~150℃
功率：960W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：113nC@10V
输入电容：6800pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@26A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH26N100X
工作温度：-55℃~150℃
功率：860W
阈值电压：6V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3290pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@13A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH52N50P2
工作温度：-55℃~150℃
功率：960W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：113nC@10V
输入电容：6800pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@26A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH52N50P2
工作温度：-55℃~150℃
功率：960W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：113nC@10V
输入电容：6800pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@26A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH52N50P2
功率：960W
漏源电压：500V
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：113nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：52A
导通电阻：120mΩ@26A，10V
类型：N沟道
输入电容：6800pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：9.2A
输入电容：4748pF@10V
栅极电荷：113nC@10V
类型：P沟道
漏源电压：20V
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH26N100X
输入电容：3290pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：1000V
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：管件
导通电阻：320mΩ@13A，10V
功率：860W
阈值电压：6V@4mA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：26A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH52N65X
工作温度：-55℃~150℃
功率：660W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4350pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@26A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH52N65X
工作温度：-55℃~150℃
功率：660W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4350pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@26A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
