采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H1M7STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：6W€250W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：147nC@10V
输入电容：9.871nF@50V
连续漏极电流：250A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"31+"：3363}
包装规格(MPQ)：78psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK1001DPN-E0#T2
功率：200W
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H1M7STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：6W€250W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：147nC@10V
输入电容：9.871nF@50V
连续漏极电流：250A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ
漏源电压：100V
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功率：200W
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包装方式：管件
输入电容：10pF@10V
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漏源电压：100V
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功率：200W
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连续漏极电流：80A
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类型：1个N沟道
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功率：6W€250W
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输入电容：9.871nF@50V
连续漏极电流：250A
类型：1个N沟道
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规格型号(MPN)：RJK1001DPN-E0#T2
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
栅极电荷：147nC@10V
导通电阻：5.5mΩ@40A，10V
功率：200W
输入电容：10pF@10V
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ECCN：EAR99
漏源电压：100V
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工作温度：-55℃~+175℃
功率：6W€250W
阈值电压：4V@250μA
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输入电容：9.871nF@50V
连续漏极电流：250A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ
漏源电压：100V
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功率：200W
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连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@40A，10V
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