品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26P3LLH6
工作温度:175℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS6P3LLH6
工作温度:150℃
功率:2.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3415A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV50XPR
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€4.63W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:744pF@20V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN52XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF1341
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@8V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLTS2242TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.1V@10µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:905pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@6.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":53879}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB75UPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:317mW€8.33W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:608pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS6P3LLH6
工作温度:150℃
功率:2.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV50XPR
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€4.63W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:744pF@20V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3415A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3415A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3415A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS6P3LLH6
工作温度:150℃
功率:2.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF1341
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@8V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS6P3LLH6
工作温度:150℃
功率:2.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV50XPR
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€4.63W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:744pF@20V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLTS2242TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.1V@10µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:905pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@6.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6353-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.4W
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN52XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLTS2242TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.1V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:905pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@6.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB65UPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:317mW€8.33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:634pF@6V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN52XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL30P3LLH6
工作温度:175℃
功率:75W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF1341
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@8V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLTS2242TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.1V@10µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:905pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@6.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB75UPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:317mW€8.33W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:608pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV50XPR
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€4.63W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:744pF@20V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: