品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB048N15N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4.9V@255µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@75V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2030pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:176mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW75NF20
工作温度:-50℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3260pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@37A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT044N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4.6V@221µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6500pF@75V
连续漏极电流:174A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU3607PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS3607TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4459BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.6W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3490pF@15V
连续漏极电流:20.5A€27.8A
类型:P沟道
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB048N15N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4.9V@255µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@75V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7660
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5565pF@15V
连续漏极电流:25A€42A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS10N3D2C
工作温度:-55℃~150℃
功率:138W
阈值电压:4V@370µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6215pF@50V
连续漏极电流:151A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@67A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS3607TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3607PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2D5N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:138W
阈值电压:4V@380µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6240pF@40V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@68A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7660
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5565pF@15V
连续漏极电流:25A€42A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3607TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":30000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3607TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS3607TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP75NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3260pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@37A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3607PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76439S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:180W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2745pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3490pF@15V
连续漏极电流:22.4A€60A
类型:P沟道
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3607PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":296,"22+":16079,"23+":519,"24+":207}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3607PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP448PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3607PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76439S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:180W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2745pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS3607TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS3607TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":700}
销售单位:个
规格型号(MPN):WPB4002
工作温度:150℃
功率:2.5W€220W
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:托盘
输入电容:2200pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@11.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW75NF20
工作温度:-50℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3260pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@37A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: