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    栅极电荷: 49 nC @ 10 V
    工作温度: -55°C~150°C(TJ)
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    onsemi Mosfet场效应管 FDS4141 起订686个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4141 起订686个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":3835}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4141

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:5W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670 pF @ 20 V

    连续漏极电流:10.8A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:13 毫欧 @ 10.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订数10个
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订数10个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),96W(Tc)

    阈值电压:2.3V @ 61µA

    栅极电荷:49 nC @ 10 V

    输入电容:3400 pF @ 50 V

    连续漏极电流:16A(Ta),97A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:5.4 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4141 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4141 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4141

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:5W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:49 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670 pF @ 20 V

    连续漏极电流:10.8A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:13 毫欧 @ 10.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4141 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4141 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4141

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:5W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:49 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670 pF @ 20 V

    连续漏极电流:10.8A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:13 毫欧 @ 10.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订数100个
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订数100个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),96W(Tc)

    阈值电压:2.3V @ 61µA

    栅极电荷:49 nC @ 10 V

    输入电容:3400 pF @ 50 V

    连续漏极电流:16A(Ta),97A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:5.4 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4141 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4141 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":3835}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4141

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:5W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670 pF @ 20 V

    连续漏极电流:10.8A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:13 毫欧 @ 10.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订数2000个
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订数2000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),96W(Tc)

    阈值电压:2.3V @ 61µA

    栅极电荷:49 nC @ 10 V

    输入电容:3400 pF @ 50 V

    连续漏极电流:16A(Ta),97A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:5.4 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订数1000个
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订数1000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),96W(Tc)

    阈值电压:2.3V @ 61µA

    栅极电荷:49 nC @ 10 V

    输入电容:3400 pF @ 50 V

    连续漏极电流:16A(Ta),97A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:5.4 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订数500个
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订数500个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),96W(Tc)

    阈值电压:2.3V @ 61µA

    栅极电荷:49 nC @ 10 V

    输入电容:3400 pF @ 50 V

    连续漏极电流:16A(Ta),97A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:5.4 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4141 起订686个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4141 起订686个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4141

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:5W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:49 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670 pF @ 20 V

    连续漏极电流:10.8A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:13 毫欧 @ 10.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订数2000个
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订数2000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    连续漏极电流:16A(Ta),97A(Tc)

    栅极电荷:49 nC @ 10 V

    输入电容:3400 pF @ 50 V

    阈值电压:2.3V @ 61µA

    导通电阻:5.4 毫欧 @ 50A,10V

    功率:2.5W(Ta),96W(Tc)

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    漏源电压:100V

    类型:N 通道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4141 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4141 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4141

    类型:P 通道

    导通电阻:13 毫欧 @ 10.5A,10V

    功率:5W(Ta)

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    连续漏极电流:10.8A(Ta)

    栅极电荷:49 nC @ 10 V

    阈值电压:3V @ 250µA

    输入电容:2670 pF @ 20 V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4141 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4141 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4141

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:5W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:49 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670 pF @ 20 V

    连续漏极电流:10.8A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:13 毫欧 @ 10.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF39N20TLDTU 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF39N20TLDTU 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF39N20TLDTU

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:37W(Tc)

    阈值电压:5V @ 250µA

    栅极电荷:49 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:2130 pF @ 25 V

    连续漏极电流:39A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:66 毫欧 @ 19.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4141 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4141 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":3835}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4141

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:5W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670 pF @ 20 V

    连续漏极电流:10.8A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:13 毫欧 @ 10.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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