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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€83.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@50V
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR846BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€83.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@50V
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR106ADP-T1-RE3
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功率：5W€83.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@50V
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：4V@250µA
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输入电容：2440pF@50V
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
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栅极电荷：52nC@10V
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输入电容：2440pF@50V
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT296L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€107W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2785pF@50V
连续漏极电流：9.5A€70A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：AOT296L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€107W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2785pF@50V
连续漏极电流：9.5A€70A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR846BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€83.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@50V
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：AOT296L
工作温度：-55℃~175℃
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阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2785pF@50V
连续漏极电流：9.5A€70A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SIR106ADP-T1-RE3
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功率：5W€83.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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功率：5W€83.3W
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输入电容：2440pF@50V
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
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规格型号(MPN)：AOT296L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€107W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2785pF@50V
连续漏极电流：9.5A€70A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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输入电容：2440pF@50V
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导通电阻：8mΩ@15A，10V
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工作温度：-55℃~175℃
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栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2785pF@50V
连续漏极电流：9.5A€70A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
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输入电容：2440pF@50V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@50V
类型：N沟道
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