采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2633}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC0310AS-F127
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2935}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC0310AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@15V
连续漏极电流：19A€21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC0310AS-F127
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ400N06TL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC0310AS-F127
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC0310AS-F127
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ400N06FRATL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC0310AS-F127
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2633}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC0310AS-F127
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8026S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€36W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@15V
连续漏极电流：19A€21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8026S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€36W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@15V
连续漏极电流：19A€21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ400N06TL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC0310AS-F127
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ400N06FRATL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC0310AS-F127
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ400N06FRATL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ400N06FRATL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC0310AS-F127
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC0310AS-F127
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC0310AS-F127
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC0310AS-F127
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ400N06FRATL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC0310AS-F127
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：21A
输入电容：3165pF@15V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ400N06FRATL
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：16mΩ@40A，10V
工作温度：150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
功率：50W
输入电容：2400pF@10V
栅极电荷：52nC@10V
连续漏极电流：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8026S
功率：2.4W€36W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
连续漏极电流：19A€21A
栅极电荷：52nC@10V
输入电容：3165pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC0310AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€36W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@15V
连续漏极电流：19A€21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ400N06TL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ400N06FRATL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ400N06FRATL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC0310AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€36W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@15V
连续漏极电流：19A€21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
