包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB409L
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.1W€83.3W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.953nF@30V
连续漏极电流:5A€31.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:38mΩ@10V,20A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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栅极电荷:52nC@10V
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类型:1个P沟道
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阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:52nC@10V
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类型:1个P沟道
导通电阻:38mΩ@10V,20A
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类型:1个P沟道
导通电阻:38mΩ@10V,20A
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阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:52nC@10V
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导通电阻:38mΩ@10V,20A
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功率:2.1W€83.3W
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工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.1W€83.3W
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栅极电荷:52nC@10V
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输入电容:2.953nF@30V
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类型:1个P沟道
导通电阻:38mΩ@10V,20A
漏源电压:60V
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库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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连续漏极电流:5A€31.5A
漏源电压:60V
功率:2.1W€83.3W
栅极电荷:52nC@10V
导通电阻:38mΩ@10V,20A
阈值电压:2.4V@250μA
工作温度:-55℃~+175℃
类型:1个P沟道
输入电容:2.953nF@30V
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规格型号(MPN):AOB409L
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.1W€83.3W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.953nF@30V
连续漏极电流:5A€31.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:38mΩ@10V,20A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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