品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R165CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:3.5V@790µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIB7N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF11N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF11N60T
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R165CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.5V@660µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB11N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R165CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.5V@660µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS11N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS11N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF11N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":333,"20+":3466}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI60R165CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:3.5V@790µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIB7N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS11N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":333,"20+":3466}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI60R165CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:3.5V@790µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB11N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R165CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:3.5V@790µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIB7N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT296L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€107W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2785pF@50V
连续漏极电流:9.5A€70A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP11N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT296L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€107W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2785pF@50V
连续漏极电流:9.5A€70A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS11N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP11N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT296L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€107W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2785pF@50V
连续漏极电流:9.5A€70A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF11N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF409
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.16W€43W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2953pF@30V
连续漏极电流:5.4A€24A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP11N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP11N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS11N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK42E12N1,S1X
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@60V
连续漏极电流:88A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@21A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF11N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: