品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8796
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@13V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDD8796
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@13V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
漏源电压:25V
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生产批次:{}
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连续漏极电流:35A
类型:N沟道
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输入电容:2610pF@13V
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导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
功率:88W
连续漏极电流:35A
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功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
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输入电容:2610pF@13V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
漏源电压:25V
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功率:88W
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栅极电荷:52nC@10V
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连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
漏源电压:25V
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行业应用:工业,汽车
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包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:2610pF@13V
漏源电压:25V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
功率:88W
连续漏极电流:35A
ECCN:EAR99
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