品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB409L
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.1W€83.3W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.953nF@30V
连续漏极电流:5A€31.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:38mΩ@10V,20A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB409L
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.1W€83.3W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.953nF@30V
连续漏极电流:5A€31.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:38mΩ@10V,20A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB409L
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.1W€83.3W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.953nF@30V
连续漏极电流:5A€31.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:38mΩ@10V,20A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86569-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2520pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ400N06TL
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86569-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2520pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86569-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2520pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB409L
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.1W€83.3W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.953nF@30V
连续漏极电流:5A€31.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:38mΩ@10V,20A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: