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    栅极电荷: 52nC@10V
    漏源电压: 60V
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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT3G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT3G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:2V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订2个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订2个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订2个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订2个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C628NLAFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C628NLAFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C628NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:2V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB409L

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.1W€83.3W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.953nF@30V

    连续漏极电流:5A€31.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:2V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:2V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订25个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订25个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB409L

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.1W€83.3W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.953nF@30V

    连续漏极电流:5A€31.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB409L

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.1W€83.3W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.953nF@30V

    连续漏极电流:5A€31.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:2V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C628NLAFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C628NLAFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C628NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:2V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86569-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86569-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86569-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2520pF@30V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:2V@135µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C628NLAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C628NLAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C628NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:2V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSJ400N06TL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSJ400N06TL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSJ400N06TL

    工作温度:150℃

    功率:50W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:2V@135µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT3G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT3G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:2V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT3G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT3G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:2V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C628NLWFAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C628NLWFAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C628NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:2V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86569-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86569-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86569-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2520pF@30V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86569-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86569-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86569-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2520pF@30V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB409L

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.1W€83.3W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.953nF@30V

    连续漏极电流:5A€31.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:2V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:2V@135µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:2V@135µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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