采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
输入电容：2520pF@30V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：52nC@10V
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80PS，127
功率：170W
类型：N沟道
漏源电压：80V
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：52nC@10V
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
输入电容：2520pF@30V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：52nC@10V
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
输入电容：2520pF@30V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：52nC@10V
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
输入电容：2520pF@30V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：52nC@10V
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
