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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ025N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@20V
连续漏极电流：22A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSZ025N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
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阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@20V
连续漏极电流：22A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5809，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ025N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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ECCN：EAR99
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
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