采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2935}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC0310AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@15V
连续漏极电流：19A€21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8026S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€36W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@15V
连续漏极电流：19A€21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：FDMC8026S
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阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
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输入电容：3165pF@15V
连续漏极电流：19A€21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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漏源电压：30V
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类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
连续漏极电流：19A€21A
栅极电荷：52nC@10V
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连续漏极电流：19A€21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
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导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
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阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@15V
连续漏极电流：19A€21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
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